Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | noma18_to54_no4_ss359_ad1 |
Дата корректировки | 15:41:06 30 июля 2018 г. |
Кодируемые данные | 180630s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
Системный контрольный номер | RUMARS-noma18_to54_no4_ss359_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК |
544.35 546 |
Индекс ББК |
24.56 24.12 |
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
Самойлов, А. М. 070 z01710 |
|
Кинетика роста и микроструктура пленок PbTe, синтезированных на подложках Si и BaF[2] модифицированным методом "горячей стенки" [Текст] А. М. Самойлов [и др.] |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | 9 рис., 2 табл. |
Библиография | Библиогр.: с. 368-369 (27 назв. ) |
Аннотация | Модифицированным методом "горячей стенки" с использованием графитовой реакционной камеры синтезированы пленки теллурида свинца на подложках Si (100) и BaF[2] (100). Методами рентгенографического анализа, локального рентгеноспектрального анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что независимо от природы подложки средняя скорость синтеза пленок PbTe с составом в пределах области гомогенности растет с увеличением парциального давления паров свинца и уменьшается с увеличением парциального давления паров теллура. Показано, что скорость синтеза пленок PbTe независимо от природы подложки максимальна на начальной стадии процесса и монотонно снижается со временем. Установлено, что независимо от продолжительности процесса синтеза средняя скорость роста пленок PbTe на подложках Si (100) заметно выше, чем на подложках BaF[2] (100). Методом дифракции быстрых электронов на отражение показано, что текстура пленок PbTe на Si (100) соответствует ориентации подложки, а разориентация блоков не превышает 20°. На подложках BaF[2] (100) наблюдается эпитаксиальный рост пленок PbTe с соотношением (100), [011]PbTe P (100), [011]BaF[2]. |
Химия AR-MARS Растворы AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS |
|
Ключевые слова |
теллурид свинца тонкие пленки кремний фторид бария скорость роста микроструктура эпитаксия |
Кузьминых, О. Г. 070 z02710 Сыноров, Ю. В. 070 z03710 Белоногов, Е. К. 070 z04710 Беленко, С. В. 070 z05710 Агапов, Б. Л. 070 z06710 |
|
Воронежский государственный университет z01700 Вторичная ответственность Воронежский государственный университет z02700 Вторичная ответственность Воронежский государственный университет инженерных технологий z03700 Вторичная ответственность Воронежский государственный университет z04700 Вторичная ответственность Воронежский государственный технический университет z04700 Вторичная ответственность AO "ВЗПП-Микрон" z05700 Вторичная ответственность Воронежский государственный университет z06700 Вторичная ответственность |
|
ISSN | 0002-337X |
Название источника | Неорганические материалы |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Т. 54, № 4. - С. 359-369 |
RU 36713090 20180630 RCR |
|
RU 36713090 20180630 |
|
RU AR-MARS 20180630 RCR |
|
RU AR-MARS 20180630 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
noma 2018 54 4 359 1 |
|
13607 |