Поиск

Кинетика роста и микроструктура пленок PbTe, синтезированных на подложках Si и BaF[2] модифицированным методом "горячей стенки"

Авторы: Самойлов, А. М. Кузьминых, О. Г. Сыноров, Ю. В. Белоногов, Е. К. Беленко, С. В. Агапов, Б. Л.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер noma18_to54_no4_ss359_ad1
Дата корректировки 15:41:06 30 июля 2018 г.
Кодируемые данные 180630s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-noma18_to54_no4_ss359_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека Дагестанского государственного университета
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 544.35
546
Индекс ББК 24.56
24.12
Таблицы для массовых библиотек
Таблицы для массовых библиотек
Самойлов, А. М.
070
z01710
Кинетика роста и микроструктура пленок PbTe, синтезированных на подложках Si и BaF[2] модифицированным методом "горячей стенки"
[Текст]
А. М. Самойлов [и др.]
Иллюстрации/ тип воспроизводства 9 рис., 2 табл.
Библиография Библиогр.: с. 368-369 (27 назв. )
Аннотация Модифицированным методом "горячей стенки" с использованием графитовой реакционной камеры синтезированы пленки теллурида свинца на подложках Si (100) и BaF[2] (100). Методами рентгенографического анализа, локального рентгеноспектрального анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что независимо от природы подложки средняя скорость синтеза пленок PbTe с составом в пределах области гомогенности растет с увеличением парциального давления паров свинца и уменьшается с увеличением парциального давления паров теллура. Показано, что скорость синтеза пленок PbTe независимо от природы подложки максимальна на начальной стадии процесса и монотонно снижается со временем. Установлено, что независимо от продолжительности процесса синтеза средняя скорость роста пленок PbTe на подложках Si (100) заметно выше, чем на подложках BaF[2] (100). Методом дифракции быстрых электронов на отражение показано, что текстура пленок PbTe на Si (100) соответствует ориентации подложки, а разориентация блоков не превышает 20°. На подложках BaF[2] (100) наблюдается эпитаксиальный рост пленок PbTe с соотношением (100), [011]PbTe P (100), [011]BaF[2].
Химия
AR-MARS
Растворы
AR-MARS
Химические элементы и их соединения
AR-MARS
Ключевые слова теллурид свинца
тонкие пленки
кремний
фторид бария
скорость роста
микроструктура
эпитаксия
Кузьминых, О. Г.
070
z02710
Сыноров, Ю. В.
070
z03710
Белоногов, Е. К.
070
z04710
Беленко, С. В.
070
z05710
Агапов, Б. Л.
070
z06710
Воронежский государственный университет
z01700
Вторичная ответственность
Воронежский государственный университет
z02700
Вторичная ответственность
Воронежский государственный университет инженерных технологий
z03700
Вторичная ответственность
Воронежский государственный университет
z04700
Вторичная ответственность
Воронежский государственный технический университет
z04700
Вторичная ответственность
AO "ВЗПП-Микрон"
z05700
Вторичная ответственность
Воронежский государственный университет
z06700
Вторичная ответственность
ISSN 0002-337X
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 54, № 4. - С. 359-369
RU
36713090
20180630
RCR
RU
36713090
20180630
RU
AR-MARS
20180630
RCR
RU
AR-MARS
20180630
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
noma
2018
54
4
359
1
13607