| Индекс УДК |
544.35 546 |
|
Кинетика роста и микроструктура пленок PbTe, синтезированных на подложках Si и BaF[2] модифицированным методом "горячей стенки" [Текст] А. М. Самойлов [и др.] |
|
| Аннотация | Модифицированным методом "горячей стенки" с использованием графитовой реакционной камеры синтезированы пленки теллурида свинца на подложках Si (100) и BaF[2] (100). Методами рентгенографического анализа, локального рентгеноспектрального анализа и растровой электронной микроскопии установлено, что независимо от природы подложки средняя скорость синтеза пленок PbTe с составом в пределах области гомогенности растет с увеличением парциального давления паров свинца и уменьшается с увеличением парциального давления паров теллура. Показано, что скорость синтеза пленок PbTe независимо от природы подложки максимальна на начальной стадии процесса и монотонно снижается со временем. Установлено, что независимо от продолжительности процесса синтеза средняя скорость роста пленок PbTe на подложках Si (100) заметно выше, чем на подложках BaF[2] (100). Методом дифракции быстрых электронов на отражение показано, что текстура пленок PbTe на Si (100) соответствует ориентации подложки, а разориентация блоков не превышает 20°. На подложках BaF[2] (100) наблюдается эпитаксиальный рост пленок PbTe с соотношением (100), [011]PbTe P (100), [011]BaF[2]. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 54, № 4. - С. 359-369 |
