Поиск

Гетероструктура InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью на p-InP для линейных торцевых светодиодов

Авторы: Васильев, М. Г. Васильев, А. М. Костин, Ю. О. Шелякин, А. А. Изотов, А. Д.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер noma17_to53_no11_ss1189_ad1
Дата корректировки 14:39:26 30 января 2018 г.
Кодируемые данные 180120s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-noma17_to53_no11_ss1189_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Научная библиотека Дагестанского государственного университета
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 537.3
539.2
546
Индекс ББК 22.332
22.37
24.12
Таблицы для массовых библиотек
Таблицы для массовых библиотек
Таблицы для массовых библиотек
Васильев, М. Г.
070
z01710
Гетероструктура InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью на p-InP для линейных торцевых светодиодов
[Текст]
М. Г. Васильев [и др.]
Иллюстрации/ тип воспроизводства 5 рис.
Библиография Библиогр.: с. 1192-1193 (11 назв. )
Аннотация Создана технология роста методом жидкофазной эпитаксии меза-полосковых гетероструктур InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью и p-n-p-n/ZnSe-структурой, блокирующей ток утечки. В основе технологии лежит метод прерывания меза-полоска лазерной гетероструктуры и чередование меза-полоска со структурой блокирующих слоев. Данная технология позволяет изготавливать линейные торцевые светодиоды, собранные как меза-полоском вниз, так и меза-полоском вверх, с длиной волны излучения ламбда = 1. 3-1. 5 мкм, с высокой воспроизводимостью и вводом в одномодовое волокно более 50 мкВт оптической мощности при токе 100 мА, с шириной спектра излучения около 60 нм и практически незаметной модуляцией Фабри - Перо.
Физика
AR-MARS
Электрический ток
AR-MARS
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
AR-MARS
Химия
AR-MARS
Химические элементы и их соединения
AR-MARS
Ключевые слова полупроводниковые гетероструктуры
планарные структуры
оптоэлектроника
излучающие диоды
серповидная активная область
линейные торцевые светодиоды
метод жидкофазной эпитаксии
модуляция Фабри - Перо
Фабри - Перо модуляция
модуляция Перо - Фабри
Перо - Фабри модуляция
Васильев, А. М.
070
z02710
Костин, Ю. О.
070
z03710
Шелякин, А. А.
070
z04710
Изотов, А. Д.
070
z05710
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z01700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z02700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z03700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z04700
Вторичная ответственность
Российская академия наук
Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова
z05700
Вторичная ответственность
ISSN 0002-337X
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 53, № 11. - С. 1189-1193
RU
36713090
20180120
RCR
RU
36713090
20180120
RU
AR-MARS
20180120
RCR
RU
AR-MARS
20180120
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
noma
2017
53
11
1189
1
13607