| Индекс УДК |
537.3 539.2 546 |
|
Гетероструктура InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью на p-InP для линейных торцевых светодиодов [Текст] М. Г. Васильев [и др.] |
|
| Аннотация | Создана технология роста методом жидкофазной эпитаксии меза-полосковых гетероструктур InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью и p-n-p-n/ZnSe-структурой, блокирующей ток утечки. В основе технологии лежит метод прерывания меза-полоска лазерной гетероструктуры и чередование меза-полоска со структурой блокирующих слоев. Данная технология позволяет изготавливать линейные торцевые светодиоды, собранные как меза-полоском вниз, так и меза-полоском вверх, с длиной волны излучения ламбда = 1. 3-1. 5 мкм, с высокой воспроизводимостью и вводом в одномодовое волокно более 50 мкВт оптической мощности при токе 100 мА, с шириной спектра излучения около 60 нм и практически незаметной модуляцией Фабри - Перо. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1189-1193 |
