| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | noma17_to53_no11_ss1137_ad1 |
| Дата корректировки | 14:39:22 30 января 2018 г. |
| Кодируемые данные | 180120s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-noma17_to53_no11_ss1137_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
621.79 546 |
| Индекс ББК |
34.64 24.12 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Левченко, И. В. 070 z01710 |
|
|
Химическое взаимодействие поверхности кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr-лимонная кислота [Текст] И. В. Левченко [и др.] |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 2 рис. |
| Библиография | Библиогр.: с. 1142 (11 назв. ) |
| Аннотация | Исследованы процессы химического растворения кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb растворами (NH[4]) [2]Cr[2]O[7]-HBr-C[6]H[8]O[7]. Изучены зависимости скорости их растворения от состава травителя и кинетические особенности химического взаимодействия исследуемых полупроводников с растворами. Показано, что лимитирующей стадией процесса растворения является диффузия. Установлено, что лимонная кислота способствует уменьшению скорости травления и улучшает полирующие свойства травильного раствора. |
|
Машиностроение AR-MARS Соединения деталей машин AR-MARS Химия AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
полупроводники арсенид индия арсенид галлия антимонид галлия антимонид индия химико-динамическое полирование скорость растворения химическое взаимодействие кристаллы травильные растворы лимонная кислота |
|
Стратийчук, И. Б. 070 z02710 Томашик, В. Н. 070 z03710 Маланич, Г. П. 070 z04710 Станецкая, А. С. 070 z05710 Корчевой, А. А. 070 z06710 |
|
|
Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z01700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z02700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z03700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z04700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z05700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z06700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0002-337X |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1137-1142 |
|
RU 36713090 20180120 RCR |
|
|
RU 36713090 20180120 |
|
|
RU AR-MARS 20180120 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20180120 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
noma 2017 53 11 1137 1 |
|
| 13607 |
