| Индекс УДК |
621.79 546 |
|
Химическое взаимодействие поверхности кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr-лимонная кислота [Текст] И. В. Левченко [и др.] |
|
| Аннотация | Исследованы процессы химического растворения кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb растворами (NH[4]) [2]Cr[2]O[7]-HBr-C[6]H[8]O[7]. Изучены зависимости скорости их растворения от состава травителя и кинетические особенности химического взаимодействия исследуемых полупроводников с растворами. Показано, что лимитирующей стадией процесса растворения является диффузия. Установлено, что лимонная кислота способствует уменьшению скорости травления и улучшает полирующие свойства травильного раствора. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 11. - С. 1137-1142 |
