| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | noma17_to53_no9_ss914_ad1 |
| Дата корректировки | 11:45:41 29 ноября 2017 г. |
| Кодируемые данные | 171118s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-noma17_to53_no9_ss914_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
621.79 546 |
| Индекс ББК |
34.64 24.12 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Левченко, И. В. 070 z01710 |
|
|
Взаимодействие InAs, InSb, GaAs, GaSb с травильными растворами (NH[4])[2[Cr[2]O[7]-HBr-C[4]H[6]O[6] [Текст] И. В. Левченко [и др.] |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 3 рис. |
| Библиография | Библиогр.: с. 919 (13 назв. ) |
| Аннотация | Представлены результаты по исследованию кинетики и механизма физико-химического взаимодействия поверхности полупроводников InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH[4]) [2[Cr[2]O[7]-HBr-C[4]H[6]O[6] в воспроизводимых гидродинамических условиях при ламинарном натекании травителя на подложку. Установлены области полирующих и неполирующих растворов и рассчитаны значения кажущейся энергии активации. Методом микроструктурного анализа исследована морфология поверхности кристаллов после химического травления. Показано, что использование C[4]H[6]O[6] в составе травителей способствует уменьшению общей скорости реакции и увеличению области полирующих растворов. |
|
Машиностроение AR-MARS Соединения деталей машин AR-MARS Химия AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
антимониды арсениды химико-динамическое полирование скорость травления энергия активации травильные растворы полупроводники метод микроструктурного анализа |
|
Стратийчук, И. Б. 070 z02710 Томашик, В. Н. 070 z03710 Маланич, Г. П. 070 z04710 |
|
|
Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z01700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z02700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z03700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z04700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0002-337X |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 9. - С. 914-919 |
|
RU 36713090 20171118 RCR |
|
|
RU 36713090 20171118 |
|
|
RU AR-MARS 20171118 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20171118 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
noma 2017 53 9 914 1 |
|
| 13607 |
