| Индекс УДК |
621.79 546 |
|
Взаимодействие InAs, InSb, GaAs, GaSb с травильными растворами (NH[4])[2[Cr[2]O[7]-HBr-C[4]H[6]O[6] [Текст] И. В. Левченко [и др.] |
|
| Аннотация | Представлены результаты по исследованию кинетики и механизма физико-химического взаимодействия поверхности полупроводников InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH[4]) [2[Cr[2]O[7]-HBr-C[4]H[6]O[6] в воспроизводимых гидродинамических условиях при ламинарном натекании травителя на подложку. Установлены области полирующих и неполирующих растворов и рассчитаны значения кажущейся энергии активации. Методом микроструктурного анализа исследована морфология поверхности кристаллов после химического травления. Показано, что использование C[4]H[6]O[6] в составе травителей способствует уменьшению общей скорости реакции и увеличению области полирующих растворов. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 9. - С. 914-919 |
