| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | noma17_to53_no8_ss796_ad1 |
| Дата корректировки | 11:45:33 29 ноября 2017 г. |
| Кодируемые данные | 171118s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-noma17_to53_no8_ss796_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Дагестанского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК |
546 621.79 |
| Индекс ББК |
24.12 34.64 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Левченко, И. В. 070 z01710 |
|
|
Химическое взаимодействие кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr [Текст] И. В. Левченко [и др.] |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 4 рис. |
| Библиография | Библиогр.: с. 800 (13 назв. ) |
| Аннотация | Исследованы характер и кинетика химического взаимодействия кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4]) [2]Cr[2]O[7]-HBr. Изучены зависимости скорости растворения исследуемых кристаллов от состава травителя, скорости его перемешивания и температуры. Показано, что процесс растворения данных полупроводников лимитируется диффузионной стадией. Установлены концентрационные пределы полирующих растворов, оптимизированы их составы, а также определены режимы химико-динамического полирования поверхности указанных полупроводников. Получены сверхгладкие полированные поверхности исследуемых кристаллов полупроводников с R[a] ~ 1 нм. |
|
Химия AR-MARS Химические элементы и их соединения AR-MARS Машиностроение AR-MARS Соединения деталей машин AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
химическое травление арсенид галлия арсенид индия антимонид галлия антимонид индия скорость растворения химико-динамическое полирование кристаллы водные растворы химическое взаимодействие |
|
Стратийчук, И. Б. 070 z02710 Томашик, В. Н. 070 z03710 Маланич, Г. П. 070 z04710 Станецкая, А. С. 070 z05710 |
|
|
Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z01700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z02700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z03700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z04700 Вторичная ответственность Национальная академия наук Украины Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева z05700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0002-337X |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 8. - С. 796-800 |
|
RU 36713090 20171118 RCR |
|
|
RU 36713090 20171118 |
|
|
RU AR-MARS 20171118 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20171118 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
noma 2017 53 8 796 1 |
|
| 13607 |
