Химическое взаимодействие кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr - Статьи - Базы данных - БГТУ

Химическое взаимодействие кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr

Авторы: Левченко, И. В. Стратийчук, И. Б. Томашик, В. Н. Маланич, Г. П. Станецкая, А. С.

Подробная информация

Индекс УДК	546 621.79
	Химическое взаимодействие кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4])[2]Cr[2]O[7]-HBr [Текст] И. В. Левченко [и др.]
Аннотация	Исследованы характер и кинетика химического взаимодействия кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb с водными растворами (NH[4]) [2]Cr[2]O[7]-HBr. Изучены зависимости скорости растворения исследуемых кристаллов от состава травителя, скорости его перемешивания и температуры. Показано, что процесс растворения данных полупроводников лимитируется диффузионной стадией. Установлены концентрационные пределы полирующих растворов, оптимизированы их составы, а также определены режимы химико-динамического полирования поверхности указанных полупроводников. Получены сверхгладкие полированные поверхности исследуемых кристаллов полупроводников с R[a] ~ 1 нм.
Название источника	Неорганические материалы
Место и дата издания	2017
Прочая информация	Т. 53, № 8. - С. 796-800