| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zfch17_to91_no5_ss887_ad1 |
| Дата корректировки | 10:39:53 27 сентября 2017 г. |
| Кодируемые данные | 170906s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zfch17_to91_no5_ss887_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Казанский национальный исследовательский технологический университет, Учебно-научный информационный центр МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 539.12 |
| Индекс ББК | 22.382 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Рахманова, О. Р. z01710 070 |
|
|
Движение иона лития по графен-силиценовому каналу. Компьютерная модель [Текст] Рахманова О. Р., Галашев А. Е. |
|
| Другая форма заглавия | Компьютерная модель |
| Аннотация | Методом молекулярной динамики исследован процесс движения иона лития по каналу, образованному листами совершенного и дефектного (с моновакансиями) силицена с поддержкой графеном при различной величине зазора канала. |
|
Физика AR-MARS Элементарные частицы AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
графен-силиценовый канал литий моновакансии траектория движения ширина канала |
|
Галашев, А. Е. 070 z02710 |
|
|
Институт высокотемпературной электрохимии РАН УрО z01100 Вторичная ответственность Институт высокотемпературной электрохимии РАН УрО z02700 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0044-4537 |
| Название источника | Журнал физической химии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 91, № 5. - С. 887-891 |
|
RU 42013534 20170906 RCR |
|
|
RU 42013534 20170906 |
|
|
RU AR-MARS 20170906 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20170906 |
|
|
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453717050211 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zfch 2017 91 5 887 1 |
|
| 12811 | |
| Строение вещества и квантовая химия |
