| Индекс УДК | 539.12 |
|
Движение иона лития по графен-силиценовому каналу. Компьютерная модель [Текст] Рахманова О. Р., Галашев А. Е. |
|
| Аннотация | Методом молекулярной динамики исследован процесс движения иона лития по каналу, образованному листами совершенного и дефектного (с моновакансиями) силицена с поддержкой графеном при различной величине зазора канала. |
| Название источника | Журнал физической химии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 91, № 5. - С. 887-891 |
|
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453717050211 |
