| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zfch17_to91_no4_ss691_ad1 |
| Дата корректировки | 10:02:27 1 июня 2017 г. |
| Кодируемые данные | 170518s2017||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zfch17_to91_no4_ss691_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Казанский национальный исследовательский технологический университет, Учебно-научный информационный центр БГТУ |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 544.72 |
| Индекс ББК | 24.58 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Ежовский, Ю. К. z01710 070 |
|
|
Молекулярное наслаивание оксидов кремния и алюминия на бинарных полупроводниках [Текст] Ежовский Ю. К. |
|
| Библиография | Библиогр.: c. 695 (16 назв. ) |
| Аннотация | Рассмотрен процесс формирования нанослоев оксидов кремния и алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения – ALD-технология) на поверхности GaAs, InAs и InSb. Определены условия слоевого механизма роста поверхностных наноструктур и проведена оценка их некоторых диэлектрических характеристик. |
|
Химия AR-MARS Физическая химия поверхностных явлений AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
оксиды алюминия атомно-слоевое осаждение бинарные полупроводники молекулярное наслаивание нанослои оксиды кремния поверхностные наноструктуры |
|
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет) z01100 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0044-4537 |
| Название источника | Журнал физической химии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 91, № 4. - С. 691-695 |
|
RU 42013534 20170518 RCR |
|
|
RU 42013534 20170518 |
|
|
RU AR-MARS 20170518 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20170518 |
|
|
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453717040082 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zfch 2017 91 4 691 1 |
|
| 12811 | |
| Физическая химия нанокластеров и наноматериалов |
