| Индекс УДК | 544.72 |
|
Молекулярное наслаивание оксидов кремния и алюминия на бинарных полупроводниках [Текст] Ежовский Ю. К. |
|
| Аннотация | Рассмотрен процесс формирования нанослоев оксидов кремния и алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения – ALD-технология) на поверхности GaAs, InAs и InSb. Определены условия слоевого механизма роста поверхностных наноструктур и проведена оценка их некоторых диэлектрических характеристик. |
| Название источника | Журнал физической химии |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 91, № 4. - С. 691-695 |
|
http://dx.doi.org/10.7868/S0044453717040082 |
