Поиск

Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках

Авторы: Поклонский, Н. А. Ковалев, А. И. Вырко, С. А.
Краткая информация
Маркер записи n 22 4500
Контрольный номер RU/IS/BASE/461155969
Дата корректировки 21:50:45 13 октября 2015 г.
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета
Код языка каталог. rus
rus
rus
Индекс УДК 539.2
Индекс ББК 22.37
070
z01710
Поклонский, Н. А.
Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках
Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко
Библиография Библиогр.: с. 42-43 (16 назв.)
Аннотация Получение аналитических выражений для длины стационарного электрического поля и длины прыжковой диффузии электронов в полупроводниках.
Основная рубрика Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова электроны
кристаллические полупроводники
физические исследования
электрические поля
дрейфово-диффузионные модели
дифференциальные уравнения
линейная система уравнений
физика полупроводников
ионизирующиеся излучения
070
z02710
Ковалев, А. И.
070
z03710
Вырко, С. А.
z01100
Белорусский государственный университет
z02700
Белорусский государственный университет
z03700
Белорусский государственный университет
Место и дата издания 2014
Прочая информация Т. 58, № 3. - С. 37-43
Название источника Доклады Национальной академии наук Беларуси
ISSN 0002-354X
RU
863
Тип документа b
Физика