Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора
Михайлов, А. И., Афанасьев, А. В., Ильин, В. А., Лучинин, В. В., Решанов, С. А., Schoner, A.
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4H-SiC-транзистора, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 6. - С. 839-842 .-
Михайлов_метод
