Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Юферев, В. С., Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Jon Q., Palmour, John W.
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1243-1248
Юферев_переходной
