-
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC
Юрков, С. Н., Мнацаканов, T. T., Левинштейн, М. Е., Тандоев, А. Г., Palmour, J. W.
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 234-239
Юрков_анализ
-
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
Левинштейн, М. Е., Иванов, П. А., Zhang, Q. J., Palmour, J. W.
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 668-673 .-
Левинштейн_высоковольтный
-
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
Мнацаканов, Т. Т., Тандоев, А. Г., Левинштейн, М. Е., Юрков, С. Н., Palmour, J. W.
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1125-1130
Мнацаканов_вольт
