Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si
Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Антонов, И. Н., Тетельбаум, Д. И. , Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Морозов, А. И., Karakolis, P., Dimitrakis, P.
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 .-
Тихов_особенности
