О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
Тягинов, С. Э., Макаров, А. А., Kaczer, B., Jech, M., Chasin, A., Grill, A., Hellings, G., Векслер, М. И., Linten, D., Grasser, T.
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1631-1635
Тягинов_овлиянии