-
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
Гудина, С. В., Неверов, В. Н., Ильченко, Е. В., Боголюбский, А. С., Харус, Г. И., Шелушинина, Н. Г., Подгорных, С. М. , Якунин, М. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А.
Эффективная масса и g-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 16-22
Гудина_эффективная
-
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Ильченко, Е. В., Неверов, В. Н., Савельев, А. П., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1447-1454 .-
Гудина_неуниверсальное
-
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Савельев, А. П., Неверов, В. Н., Подгорных, С. М. , Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н.
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1669-1674 .-
Гудина_квантовый
-
Модель ”петли экстремумов“ для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
Гудина, С. В., Боголюбский, А. С., Неверов, В. Н., Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В.
Модель ”петли экстремумов“ для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1291-1294
Гудина_модель
