Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Блошкин, А. А., Якимов, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Никифоров, А. И., Мурашов, В. В.
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 342-347
Блошкин_разрывы