-
Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа
Левинштейн, М. Е., Мнацаканов, T. T., Юрков, С. Н., Тандоев, А. Г., Sei-Hyung Ryu, Palm, J. W.
Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып.3. - С. 408-414 .-
Левинштейн_высоковольтный
-
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC
Юрков, С. Н., Мнацаканов, T. T., Левинштейн, М. Е., Тандоев, А. Г., Palmour, J. W.
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 234-239
Юрков_анализ
-
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
Мнацаканов, Т. Т., Тандоев, А. Г., Левинштейн, М. Е., Юрков, С. Н., Palmour, J. W.
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1125-1130
Мнацаканов_вольт
-
Неодномерный эффект dU/dt в мощных тиристорах
Юрков, С. Н., Мнацаканов, Т. Т., Тандоев, А. Г.
Неодномерный эффект dU/dt в мощных тиристорах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 1. - С. 69-73
Юрков_неодномерный
-
S-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока
Тандоев, А. Г., Мнацаканов, Т. Т., Юрков, С. Н.
S-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 470-477
Тандоев_S-образные
