Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
Гармаш, В. И., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Ковальчук, А. В., Шаповал, С. Ю.
Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 748-752
Гармаш_исследование
