Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
Соловьев, В. А., Соловьёв, В. А., Чернов, М. Ю., Ситникова, А. А., Брунков, П. Н., Мельцер, Б. Я., Иванов, С. В.
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 127-132
Соловьев_оптимизация
