-
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Румянцев, В. В., Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Иконников, А. В., Казаков, А. С., Алешкин, В. Я., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1317-1320
Румянцев_влияние
-
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Морозов, С. В., Семягин, Б. Р. , Путято, М. А., Преображенский, В. В., Гавриленко, В. И.
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 9. - С. 929-932 .-
Уточкин_спектры
-
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te
Козлов, Д. В., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Hubers, H.-W., Гавриленко, В.И.
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1257-1262
Козлов_расчет
-
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
Румянцев, В. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Дубинов, А. А., Уточкин, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 12. - С. 1616-1620 .-
Румянцев_исследования
-
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм
Уточкин, В. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Гавриленко, В. И., Куликов, Н. С., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3-5 мкм, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1163-1168 .-
Кушков_исследование
-
Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
Уточкин, В. В., Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Гавриленко, В. И., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Морозов, С. В.
Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 10. - С. 1169-1173 .-
Уточкин_непрерывное
-
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Морозов, С. В., Супрун, С. П., Эпов, В. С. , Иконников, А. В., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В.
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1713-1719 .-
Акимов_гигантская
-
Влияние мексидола и нитроксимексидола на активность фосфодиэстеразы, некоторые окислительные процессы и устойчивость к гипоксии
Татьяненко, Л. В., Доброхотова, О. В., Варфоломеев, В. Н., Фадеев, М. А., Федоров, Б. С., Штолько, В. Н., Мищенко, Д. В.
Влияние мексидола и нитроксимексидола на активность фосфодиэстеразы, некоторые окислительные процессы и устойчивость к гипоксии, [Текст]
ил., табл.
Химико-фармацевтический журнал, 2014, Т. 48, № 7. - С. 3-6
-
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами
Козлов, Д. В., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Варавин, В. С., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В.И. , Teppe, F.
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1690-1696 .-
Козлов_вакансии
-
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Румянцев, В. В., Фадеев, М. А., Морозов, С. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Кадыков, А. М., Дворецкий, С. А. , Михайлов, Н. Н. , Гавриленко, В. И., Teppe, F.
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1679-1684
Румянцев_длинноволновое
