Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Заварин, Е. Е., Яговкина, М. А., Сахаров, А. В., Усов, С. О., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Карпов, С. Ю., Устинов, В .М.
Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1401-1406 .-
Цацульников_влияние
