-
Кинетика термомиграции в системах Si-Al-Ga и Si-Al-Sn
Кузнецов, В. В., Лозовский, В. Н., Попов, В. П., Рубцов, Э. Р., Середин, Б. М.
Кинетика термомиграции в системах Si-Al-Ga и Si-Al-Sn, [[Текст]], В. В. Кузнецов [и др.]
5 рис.
// Неорганические материалы .-
2018 .-
Т. 54, № 1. - С. 35-39 .-
-
Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
Лозовский, В. Н., Ломов, А. А., Лунин, Л. С., Середин, Б. М., Чесноков, Ю. М.
Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 297-301
Лозовский_кристаллические
-
О пределе инжектирующей способности кремниевых p{+}-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
Мнацаканов, Т. Т., Левинштейн, М. Е., Шуман, В. Б., Середин, Б. М.
О пределе инжектирующей способности кремниевых p{+}-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 830-834
Мнацаканов_о пределе
