Поиск

Кинетика термомиграции в системах Si-Al-Ga и Si-Al-Sn

Авторы: Кузнецов, В. В. Лозовский, В. Н. Попов, В. П. Рубцов, Э. Р. Середин, Б. М.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Кинетика термомиграции в системах Si-Al-Ga и Si-Al-Sn
[Текст]
В. В. Кузнецов [и др.]
Аннотация Исследованы термодинамические и кинетические особенности термомиграции жидких зон на основе расплавов Al-Ga и Al-Sn при получении кремниевых эпитаксиальных слоев. Установлены пороговые температуры начала термомиграции зон различного состава. Показано, что с увеличением концентрации Ga или Sn в жидкой фазе температура начала миграции монотонно возрастает. При этом скорость миграции зон Si-Al-Ga при температурах ниже 1473 К уменьшается с ростом концентрации галлия, а при более высоких температурах - возрастает. Скорость миграции зон Si-Al-Sn снижается с ростом концентрации олова во всем диапазоне температур. В рассматриваемых системах не обнаружены химические соединения, что упрощает в них реализацию метода термомиграции.
Название источника Неорганические материалы
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 54, № 1. - С. 35-39