Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C)
Андреев, В. М., Малевский, Д. А., Покровский, П. В., Румянцев, В. Д., Чекалин, А. В.
Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 <= T <= +85°C) , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1374-1379 .-
Андреев_основные
