Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
  Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Некоркин, С. М., Круглов, А. В., Реунов, Д. Г.
  
  Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 345-350 Байдусь_выращивание