-
Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC
Музафарова, М. В., Ильин, И. В., Анисимов, А. Н., Мохов, Е. Н., Солтамов, В. А., Баранов, П. Г.
Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 12. - С. 2319-2335 .-
Музафарова_электронная
-
Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом
Анисимов, А. Н., Вольфсон, А. А., Мохов, Е. Н.
Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом, [Электронный ресурс]
ил., табл., схем.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1104-1106
Анисимов_спектры
-
Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом
Мохов, Е. Н., Вольфсон, А. А., Казарова, О. П.
Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2298-2302 .-
Мохов_выращивание
-
Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
Ильин, И. В., Успенская, Ю. А., Крамущенко, Д. Д., Музафарова, М. В., Солтамов, В. А., Мохов, Е. Н., Баранов, П. Г.
Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 4. - С. 641-659 .-
Ильин_акцепторы
-
Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
Мохов, Е. Н., Рабчинский, M. К., Нагалюк, С. С., Гафуров, М. Р., Казарова, О. П.
Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 224-227
Мохов_влияние
