Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC
Юрков, С. Н., Мнацаканов, T. T., Левинштейн, М. Е., Тандоев, А. Г., Palmour, J. W.
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 234-239
Юрков_анализ