Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .-
Томош_исследование
