-
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Бушуйкин, П. А., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В.
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 264-268 .-
Лобанов_особенности
-
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598
Бушуйкин_особенности
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Дроздов, М. Н., Хрыкин, О. И., Бузанов, О. А., Аленков, В. В., Фоломин, П. И.
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1532-1536 .-
Лобанов_эпитаксиальные
