Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти
Егоров, К. В., Кузьмичёв, Д. С., Кузьмичев, Д. С., Лебединский, Ю. Ю., Маркеев, А. М.
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти, [Текст]
ил.
Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып. 11. - С. 1459-1464