In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .-
Салий_In
