Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Иванова, М. М., Качемцев, А. Н., Михайлов, А. Н., Филатов, Д. О., Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Чалков, В. Ю., Шенгуров, В. Г.
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 651-655
Иванова_влияние
