Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Казаков, И. П., Базалевский, М. А., Деев, П. М., Червяков, А. В.
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 708-711
Авакянц_исследование