Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов
  Шабунина, Е. И., Черняков, А. Е., Иванов, А. Е, Карташова, А. П., Кучинский, В. И., Полоскин, Д. С., Тальнишних, Н. А., Шмидт, Н. М., Закгейм, А. Л.
  
  Вклад зонного флуктуационного потенциала и разупорядоченности гетерограниц в падение эффективности светодиодов на основе нитридов, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2023 .- Т. 90, № 1. - С. 29-34 .-
• Спектральная эффективность накачки активной среды титан-сапфирового лазера излучением AlInGaN-светодиодов
  Аладов, А. В., Иванов, А. Е., Закгейм, А. Л., Черняков, А. Е.
  
  Спектральная эффективность накачки активной среды титан-сапфирового лазера излучением AlInGaN-светодиодов, А. В. Аладов, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков // Журнал прикладной спектроскопии .- 2022 .- Т. 89, № 3. - С. 336-340 .-
• Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
  Закгейм, А. Л., Ильинская, Н. Д., Карандашев, С. А., Лавров, А. А., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Стусь, Н. М., Усикова, А. А., Черняков, А. Е.
  
  Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 269-275 Закгейм_пространственное
• Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb
  Закгейм, А. Л., Климов, А. А., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Черняков, А. Е.
  
  Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb, А. Л. Закгейм, А. А. Климов, Т. С. Лухмырина [и др.] 1 файл (211 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 11. - С. 1502-1504 .-
• Возможность накачки лазеров на александрите и Ti:Sapphire светодиодами, излучающими в диапазоне 440-510 нм
  Аладов, А. В., Иванов, А. Е., Закгейм, А. Л., Черняков, А. Е.
  
  Возможность накачки лазеров на александрите и Ti:Sapphire светодиодами, излучающими в диапазоне 440-510 нм, А. В. Аладов, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. Е. Черняков // Журнал прикладной спектроскопии .- 2024 .- Т. 91, № 2. - С. 204-210 .-