Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)
Козловский, В. В., Лебедев, А. А., Стрельчук, А. М., Давыдовская, К. С., Васильев, А. Э., Макаренко, Л. Ф.
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 311-316
Козловский_влияние