-
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As
Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В. , Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 .-
Здоровейщев_диодные
-
Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Дёмина, П. Б.
Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 11. - С. 2236-2239 .-
Кудрин_детекторы
-
Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В.
Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2196-2199 .-
Вихрова_излучающие
-
Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
Кудрин, А. В. , Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Питиримова, Е. А., Антонов, И. Н.
Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 .-
Кудрин_однофазные
-
Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
Кудрин, А. В. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Дёмина, П. Б., Вихрова, О. В., Калентьева, И. Л., Ведь, М. В.
Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2203-2205 .-
Кудрин_фоторезистивный
-
Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл
Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Кудрин, А. В. , Темирязев, А. Г., Темирязева, М. П.
Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 9. - С. 1628-1633 .-
Здоровейщев_микромагнитные
-
Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г., Никитов, С. А., Садовников, А. В.
Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 9. - С. 1694-1699 .-
Калентьева_модифицирование
-
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs
Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дроздов, М. Н.
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1490-1496 .-
Калентьева_влияние
-
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
Планкина, С. М., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Коннова, Н. Ю., Нежданов, А. В., Пашенькин, И. Ю.
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1561-1564
Планкина_исследование
-
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458
Яблонский_стимулированное
