Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Емельянов, Е. А., Васёв, А. В., Васев, А. В., Семягин, Б. Р. , Есин, М. Ю., Лошкарев, И. Д., Василенко, А. П., Путято, М. А., Петрушков, М. О., Преображенский, В. В.
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 512-519
Емельянов_рост