-
Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr[1-x]Si[x]
Новиков, С. В., Бурков, А. Т.
Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr[1-x]Si[x], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 6. - С. 1054-1057 .-
Новиков_вклад
-
Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO
Новицкий, А. П., Сергиенко, И. А., Новиков, С. В., Кусков, К. В., Лейбо, Д. В., Панкратова, Д. С., Бурков, А. Т., Ховайло, В. В.
Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 226-230
Новицкий_влияние
-
Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе
Бурков, А. Т., Новиков, С. В., Зайцев, В. К., Рейсс, Х.
Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 723-725
Бурков_низкотемпературный
-
Термоэлектрические свойства лент Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3], полученных методом спиннингования расплава
Бурков, А. Т., Новиков, С. В., Танг, Х., Ян, Я.
Термоэлектрические свойства лент Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3], полученных методом спиннингования расплава, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1068-1070
Бурков_термоэлектрические
-
Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr[0.26]Si[0.74] от толщины
Новиков, С. В., Кузнецова, В. С., Бурков, А. Т., Шуманн, И.
Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr[0.26]Si[0.74] от толщины, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 355-357
Новиков_зависимость
