-
Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя
Банная, В. Ф.
Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 302-304
Банная_повышение
-
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Электрический пробой в чистом n- и p-Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 291-294
Банная_электрический
-
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 13-17
Банная_влияние
-
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 221-223
Банная_разогрев
