-
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Бушуйкин, П. А., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В.
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 264-268 .-
Лобанов_особенности
-
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598
Бушуйкин_особенности
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
