Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н{+}-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
Асадчиков, В. Е., Дьячкова, И. Г., Золотов, Д. А., Чуховский, Ф. Н., Сорокин, Л. М.
Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н{+}-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 10. - С. 1754-1762 .-
Асадчиков_изучение