Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Вороненков, В. В., Бочкарёва, Н. И., Вирко, М. В., Коготков, В. С. , Леонидов, А. А., Горбунов, Р. И., Бочкарева, Н. И., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Шретер, Ю. Г.
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 116-123
Вороненков_отделение