-
Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе a-Si : H/µc-Si : H
Абрамов, А. С., Семёнов, А. В., Андроников, Д. А., Емцев, К. В., Кукин, А. В., Семенов, А. В., Терукова, Е. Е., Титов, А. С., Яковлев, С. А.
Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе a-Si : H/µc-Si : H , [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 8. - С. 1095-1099 .-
Абрамов_исследование
-
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Морозов, С. В., Супрун, С. П., Эпов, В. С. , Иконников, А. В., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В.
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1713-1719 .-
Акимов_гигантская
-
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Пащин, Н. С., Ярошевич, А. С., Савченко, М. Л., Эпов, В. С. , Федосенко, Е. В.
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 11. - С. 1574-1578 .-
Акимов_связь
