-
Расчет выхода вещества при его глубокой очистке методом периодической ректификации
Кириллов, Ю. П., Моисеев, А. Н.
Расчет выхода вещества при его глубокой очистке методом периодической ректификации, [Текст]
Ил.8
Неорганические материалы, 2008, Т.44, № 4.- С.448-454
-
Получение высокочистой шихты дл варки стекол системы TeO2-ZnO
Моисеев, А. Н., Дорофеев, В. В., Чилясов, А. В., Кутьин, А. М., Пименов, В. Г., Плотниченко, В. Г., Колташев, В. В.
Получение высокочистой шихты дл варки стекол системы TeO2-ZnO, [Текст]
Ил.7
-
Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом
Чилясов, А. В., Моисеев, А. Н., Евстигнеев, В. С., Степанов, Б. С., Дроздов, М. Н.
Получение эпитаксиальных слоев легированного мышьяком теллурида кадмия MOCVD-методом, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2016, Т. 52, № 12. - С. 1284-1289
-
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD
Евстигнеев, В. С., Варавин, В. С., Чилясов, А. В., Ремесник, В. Г., Моисеев, А. Н., Степанов, Б. С.
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 554-559
Евстигнеев_электрофизические
